全球第5家！中芯國(guó)際今年將投資研發(fā)7nm工藝

　　提及先進(jìn)的芯片制程工藝，許多人都會(huì)想到Intel、三星、TSMC等等。而在中國(guó)市場(chǎng)上能夠追趕它們腳步的，似乎只有中芯國(guó)際（SMIC）了！而據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，中芯國(guó)際CEO邱慈云博士也曾公開表示，將在今年晚些時(shí)候投資研發(fā)7nm工藝。

　　遺憾的是，邱博士并未給出國(guó)產(chǎn)7nm工藝問世時(shí)間。但考慮到14nm工藝目標(biāo)已經(jīng)定在了2018-2020年左右，估計(jì)國(guó)產(chǎn)的7nm工藝至少也得在2020年之后了！

　　中芯國(guó)際是國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠，2016年?duì)I收29億美元，同比增長(zhǎng)30%，不過與全球晶圓代工一哥TSMC臺(tái)積電差距還是相當(dāng)大的，后者去年?duì)I收約為300億美元，半導(dǎo)體工藝更是領(lǐng)先——TSMC早就量產(chǎn)16nm FinFET工藝了，今年還會(huì)量產(chǎn)10nm工藝，SIMC目前最先進(jìn)的工藝還是28nm，主力工藝還是40nm、55nm等。

　　2015年比利時(shí)國(guó)王訪華時(shí)，中比雙方簽署了一系列合作協(xié)議，其中一條就是中芯國(guó)際、華為、高通與比利時(shí)微電子中心IMEC合作研發(fā)14nm FinFET工藝，預(yù)計(jì)會(huì)在2020年之前達(dá)成《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》提出的16/14納米工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)的目標(biāo)。

　　中芯國(guó)際從28nm直接進(jìn)入14nm，跳過了20nm節(jié)點(diǎn)，未來也很有可能跳過10nm節(jié)點(diǎn)，直接進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)。該公司CEO邱慈云博士日前對(duì)外表態(tài)稱今年晚些時(shí)候會(huì)投入R&D研發(fā)資金開發(fā)7nm工藝，他還提到近年來中芯國(guó)際加大了研發(fā)投入力度，R&D投資占據(jù)公司12-13%的營(yíng)收，2016年資本支出也創(chuàng)紀(jì)錄地達(dá)到了27億美元。

　　從上述報(bào)道不難看出，中芯國(guó)際的7nm工藝目前仍處在投入研發(fā)資金的階段，而這與Intel、三星GF、TSMC之間存在不小的差距！不過隨著國(guó)內(nèi)制程工藝的不斷進(jìn)步，相信雙方的差距必將不斷縮減。