三星在今年一月份開始為主要IT客戶生產(chǎn)基于64層256Gb V-NAND芯片的業(yè)界首款SSD,64層V-NAND芯片也被認(rèn)為是第四代V-NAND芯片,數(shù)據(jù)傳輸速度達1Gbps,具有業(yè)界最短的500微秒(㎲)的燒錄器燒錄單個芯片的時間(tPROG),比典型的10納米(nm)級的平面NAND閃存快約四倍,比三星最快的48層3位256Gb V-NAND閃存的速度快了約1.5倍。
三星表示,與之前的48層256Gb V-NAND相比,新的64層256Gb 3-bit V-NAND提供了超過30%的生產(chǎn)率增益。此外,64層V-NAND的電路具有2.5V輸入電壓,與使用48層V-NAND的3.3伏相比,能量效率提高了約30%。此外,新的V-NAND電池的可靠性與前代相比也增加了約20%。
三星還表示,基于其64層V-NAND的成功,三星未來還將通過堆疊超過90層的單元陣列,以生產(chǎn)具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
看得出來,現(xiàn)在三星還是叼叼的,各種研發(fā)各種超越。
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