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狂砸70億美元!三星擬提升NAND閃存芯片在華產(chǎn)能

狂砸70億美元!三星擬提升NAND閃存芯片在華產(chǎn)能

更新時間:2017-08-28 文章編輯:愛純凈 信息來源:網(wǎng)絡(luò) 閱讀次數(shù):
  8月28日消息 為了滿足全球市場對自家NAND閃存芯片的需求,三星電子在今年7月初曾公開表示,將為坐落于中國西安市的NAND內(nèi)存芯片工廠增加一條生產(chǎn)線,但投資的金額卻并未確定!而據(jù)外媒最新消息顯示,三星電子本周一宣布,未來3年將投資70億美元,以提升該工廠的NAND閃存芯片產(chǎn)能。

狂砸70億美元!三星擬提升NAND閃存芯片在華產(chǎn)能

  報道稱,三星電子公司在提交給監(jiān)管機構(gòu)的一份文件中表示,周一該公司對預計70億美元總投資中的23億美元給予了批準。

  至于已批準或計劃中的投資額將會增加多少產(chǎn)能,三星電子公司發(fā)言人拒絕置評。

  來自市場研究公司IHS最新研究數(shù)字顯示,三星電子公司在第二季度全球NAND閃存芯片營收中占據(jù)38.3%市場份額。

  對此,三星電子方面則表示,這一利好趨勢有望延續(xù)到今年第三季度。值得一提的是,盡管中國正在努力開發(fā)自主內(nèi)存芯片生產(chǎn)線,但想要在這一領(lǐng)域中與三星、SK海力士半導體等老牌巨頭“掰手腕”,還需要一段不短的時間!

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